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SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Numéro d'article
SIB914DK-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Puissance - Max
3.1W
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
8V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.5A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
113 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.6nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 4V
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Coordonnées
Mots-clés de SIB914DK-T1-GE3
SIB914DK-T1-GE3 Composants électroniques
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