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SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Numéro d'article

SI8429DB-T1-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-XFBGA, CSPBGA

Package d'appareil du fournisseur

4-Microfoot

Dissipation de puissance (maximum)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 4V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

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