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SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Numéro d'article

SI7858ADP-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

1.9W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 29A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5700pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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