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SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
Numéro d'article
SI4835DDY-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
13A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1960pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±25V
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Mots-clés de SI4835DDY-T1-E3
SI4835DDY-T1-E3 Composants électroniques
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