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SI3493BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Numéro d'article

SI3493BDV-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

6-TSOP

Dissipation de puissance (maximum)

2.08W (Ta), 2.97W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

27.5 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

43.5nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1805pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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