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SI3483CDV-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP

Numéro d'article

SI3483CDV-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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