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SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
Numéro d'article
SI2399DS-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
835pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Vgs (Max)
±12V
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Mots-clés de SI2399DS-T1-GE3
SI2399DS-T1-GE3 Composants électroniques
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