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SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
Numéro d'article
SI2325DS-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipation de puissance (maximum)
750mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
150V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
530mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de SI2325DS-T1-GE3
SI2325DS-T1-GE3 Composants électroniques
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