Acheter Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

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SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Numéro d'article

SI2312BDS-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

750mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.9A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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