Acheter Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SI2301CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Numéro d'article

SI2301CDS-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

860mW (Ta), 1.6W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

112 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 35934 PCS

Coordonnées