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SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
Numéro d'article
SI1926DL-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Puissance - Max
510mW
Package d'appareil du fournisseur
SC-70-6 (SOT-363)
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
370mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
18.5pF @ 30V
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Mots-clés de SI1926DL-T1-E3
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