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SI1922EDH-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

Numéro d'article

SI1922EDH-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Puissance - Max

1.25W

Package d'appareil du fournisseur

SC-70-6 (SOT-363)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.3A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

198 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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