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SI1413EDH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Numéro d'article

SI1413EDH-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareil du fournisseur

SC-70-6 (SOT-363)

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

115 mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

450mV @ 100µA (Min)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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