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IRLL110PBF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Numéro d'article

IRLL110PBF

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

540 mOhm @ 900mA, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Vgs (Max)

±10V

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