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IRFPG30PBF

IRFPG30PBF

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
Numéro d'article
IRFPG30PBF
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247-3
Dissipation de puissance (maximum)
125W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.1A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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En stock 19209 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IRFPG30PBF
IRFPG30PBF Composants électroniques
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