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IRFL110PBF

IRFL110PBF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Numéro d'article
IRFL110PBF
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-223
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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IRFL110PBF Composants électroniques
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