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TPH6R004PL,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Numéro d'article

TPH6R004PL,LQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIX-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-SOP Advance (5x5)

Dissipation de puissance (maximum)

1.8W (Ta), 81W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

87A (Ta), 49A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 200µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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