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TPCC8093,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Numéro d'article
TPCC8093,L1Q
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (maximum)
1.9W (Ta), 30W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
21A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1860pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
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Mots-clés de TPCC8093,L1Q
TPCC8093,L1Q Composants électroniques
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