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TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Numéro d'article
TK31V60X,LQ
Fabricant/Marque
Série
DTMOSIV-H
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-VSFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
4-DFN-EP (8x8)
Dissipation de puissance (maximum)
240W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Super Junction
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
30.8A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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