Toshiba Semiconductor and Storage
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TK14E65W,S1X
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TK14E65W,S1X

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Numéro d'article
TK14E65W,S1X
Fabricant/Marque
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220
Dissipation de puissance (maximum)
130W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
13.7A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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