L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Numéro d'article
TK12E80W,S1X
Série
DTMOSIV
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220
Dissipation de puissance (maximum)
165W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
11.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 570µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 22952 PCS
Coordonnées
Mots-clés de TK12E80W,S1X
TK12E80W,S1X Composants électroniques
TK12E80W,S1X Ventes
TK12E80W,S1X Fournisseur
TK12E80W,S1X Distributeur
TK12E80W,S1X Tableau de données
TK12E80W,S1X Photos
TK12E80W,S1X Prix
TK12E80W,S1X Offre
TK12E80W,S1X Prix ​​le plus bas
TK12E80W,S1X Recherche
TK12E80W,S1X Achat
TK12E80W,S1X Chip