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TK12A80W,S4X

TK12A80W,S4X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
Numéro d'article
TK12A80W,S4X
Série
DTMOSIV
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-220SIS
Dissipation de puissance (maximum)
45W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
11.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 570µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de TK12A80W,S4X
TK12A80W,S4X Composants électroniques
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