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TK10V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

Numéro d'article

TK10V60W,LVQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

DTMOSIV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-VSFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

4-DFN-EP (8x8)

Dissipation de puissance (maximum)

88.3W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Super Junction

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.7V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 300V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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