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SSM6J51TUTE85LF

MOSFET P-CH 12V 4A UF6

Numéro d'article

SSM6J51TUTE85LF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIV

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-SMD, Flat Leads

Package d'appareil du fournisseur

UF6

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 2A, 2.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

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