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SSM3K106TU(TE85L)

MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

Numéro d'article

SSM3K106TU(TE85L)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

π-MOSVI

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-SMD, Flat Leads

Package d'appareil du fournisseur

UFM

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

310 mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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