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SSM3K01T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

Numéro d'article

SSM3K01T(TE85L,F)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

π-MOSVI

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TSM

Dissipation de puissance (maximum)

1.25W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 1.6A, 4V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

152pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Vgs (Max)

±10V

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