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2SK2847(F)

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN

Numéro d'article

2SK2847(F)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3P(N)IS

Dissipation de puissance (maximum)

85W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

900V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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