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STL33N60M2

STL33N60M2

MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
Numéro d'article
STL33N60M2
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ II Plus
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-PowerFlat™ HV
Package d'appareil du fournisseur
PowerFlat™ (8x8) HV
Dissipation de puissance (maximum)
190W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
22A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 10.75A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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Coordonnées
Mots-clés de STL33N60M2
STL33N60M2 Composants électroniques
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