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STFI20N65M5

STFI20N65M5

MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
Numéro d'article
STFI20N65M5
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ V
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Package d'appareil du fournisseur
I2PAKFP (TO-281)
Dissipation de puissance (maximum)
130W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
18A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1345pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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Coordonnées
Mots-clés de STFI20N65M5
STFI20N65M5 Composants électroniques
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