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2SK4150TZ-E

MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

Numéro d'article

2SK4150TZ-E

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92

Dissipation de puissance (maximum)

750mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

400mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5.7 Ohm @ 200mA, 4V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Vgs (Max)

±10V

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