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MTM862270LBF

MTM862270LBF

MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
Numéro d'article
MTM862270LBF
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-SMD, Flat Leads
Package d'appareil du fournisseur
WSSMini6-F1
Dissipation de puissance (maximum)
540mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Vgs (Max)
±10V
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Mots-clés de MTM862270LBF
MTM862270LBF Composants électroniques
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