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NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK
Numéro d'article
NVATS5A112PLZT4G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
ATPAK
Dissipation de puissance (maximum)
48W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
27A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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