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NTHD3102CT1G
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NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
Numéro d'article
NTHD3102CT1G
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Puissance - Max
1.1W
Package d'appareil du fournisseur
ChipFET™
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A, 3.1A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 10V
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