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PSMN8R7-100YSFX

PSMN8R7-100YSFX

PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Numéro d'article
PSMN8R7-100YSFX
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Package d'appareil du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Dissipation de puissance (maximum)
198W
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
100A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
-
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Coordonnées
Mots-clés de PSMN8R7-100YSFX
PSMN8R7-100YSFX Composants électroniques
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