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PMPB12UNEX

PMPB12UNEX

MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD
Numéro d'article
PMPB12UNEX
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
6-DFN2020MD (2x2)
Dissipation de puissance (maximum)
470mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
11.4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1220pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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Coordonnées
Mots-clés de PMPB12UNEX
PMPB12UNEX Composants électroniques
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