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PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Numéro d'article
PHT6NQ10T,135
Fabricant/Marque
Série
TrenchMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-223
Dissipation de puissance (maximum)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de PHT6NQ10T,135
PHT6NQ10T,135 Composants électroniques
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