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IXTY1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Numéro d'article

IXTY1R6N100D2

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252, (D-Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

100W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Depletion Mode

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±20V

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