L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Numéro d'article
IXTY1R6N100D2
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252, (D-Pak)
Dissipation de puissance (maximum)
100W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 14305 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2 Composants électroniques
IXTY1R6N100D2 Ventes
IXTY1R6N100D2 Fournisseur
IXTY1R6N100D2 Distributeur
IXTY1R6N100D2 Tableau de données
IXTY1R6N100D2 Photos
IXTY1R6N100D2 Prix
IXTY1R6N100D2 Offre
IXTY1R6N100D2 Prix ​​le plus bas
IXTY1R6N100D2 Recherche
IXTY1R6N100D2 Achat
IXTY1R6N100D2 Chip