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IXTR32P60P

IXTR32P60P

MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Numéro d'article
IXTR32P60P
Fabricant/Marque
Série
PolarP™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
ISOPLUS247™
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS247™
Dissipation de puissance (maximum)
310W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
18A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
385 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
11100pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IXTR32P60P
IXTR32P60P Composants électroniques
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