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IXTP3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Numéro d'article
IXTP3N100D2
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
125W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
±20V
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