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IXTP1R6N50P

IXTP1R6N50P

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
Numéro d'article
IXTP1R6N50P
Fabricant/Marque
Série
PolarHV™
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
43W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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En stock 52711 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IXTP1R6N50P
IXTP1R6N50P Composants électroniques
IXTP1R6N50P Ventes
IXTP1R6N50P Fournisseur
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