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IXTN660N04T4
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Numéro d'article
IXTN660N04T4
Fabricant/Marque
Série
TrenchT4™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur
SOT-227B
Dissipation de puissance (maximum)
1040W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Current Sensing
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
660A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
0.85 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
860nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
44000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±15V
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