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IXTN550N055T2

MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Numéro d'article

IXTN550N055T2

Fabricant/Marque

IXYS

Série

GigaMOS™, TrenchT2™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur

SOT-227B

Dissipation de puissance (maximum)

940W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

550A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

595nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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