Acheter IXYS IXTM5N100A POWER MOSFET TO-3

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IXTM5N100A

POWER MOSFET TO-3

Numéro d'article

IXTM5N100A

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-204AA, TO-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-204AA

Dissipation de puissance (maximum)

180W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 11605 PCS

Coordonnées

Produits connexes

IXTM10P60

POWER MOSFET TO-3