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IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
Numéro d'article
IXTH16N20D2
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Dissipation de puissance (maximum)
695W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
16A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 8A, 0V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
208nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IXTH16N20D2
IXTH16N20D2 Composants électroniques
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