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IXTH12N100Q

IXTH12N100Q

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Numéro d'article
IXTH12N100Q
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
Citation requise
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Coordonnées
Mots-clés de IXTH12N100Q
IXTH12N100Q Composants électroniques
IXTH12N100Q Ventes
IXTH12N100Q Fournisseur
IXTH12N100Q Distributeur
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