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IXTH12N100L

IXTH12N100L

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Numéro d'article
IXTH12N100L
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Dissipation de puissance (maximum)
400W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 500mA, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IXTH12N100L
IXTH12N100L Composants électroniques
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