Acheter IXYS IXTF6N200P3 MOSFET N-CH

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH

Numéro d'article

IXTF6N200P3

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Polar™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Package d'appareil du fournisseur

ISOPLUS i4-PAC™

Dissipation de puissance (maximum)

215W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

2000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 9127 PCS

Coordonnées

Produits connexes

IXTF02N450

MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK