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IXTF6N200P3

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH
Numéro d'article
IXTF6N200P3
Fabricant/Marque
Série
Polar™
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Dissipation de puissance (maximum)
215W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
2000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IXTF6N200P3
IXTF6N200P3 Composants électroniques
IXTF6N200P3 Ventes
IXTF6N200P3 Fournisseur
IXTF6N200P3 Distributeur
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