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IXTA2R4N120P

IXTA2R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
Numéro d'article
IXTA2R4N120P
Fabricant/Marque
Série
Polar™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263 (IXTA)
Dissipation de puissance (maximum)
125W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1207pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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En stock 23502 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P Composants électroniques
IXTA2R4N120P Ventes
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IXTA2R4N120P Distributeur
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