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IXTA110N12T2
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Numéro d'article
IXTA110N12T2
Fabricant/Marque
Série
TrenchT2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263 (IXTA)
Dissipation de puissance (maximum)
517W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
120V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
110A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6570pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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