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IXFX32N100P

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

Numéro d'article

IXFX32N100P

Fabricant/Marque

IXYS

Série

HiPerFET™, PolarP2™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

PLUS247™-3

Dissipation de puissance (maximum)

960W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

32A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

320 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14200pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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